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金融界2025年7月9日消息，国家知识产权局信息显示，武汉光迅科技股份有限公司申请一项名为“一种用于OTDR的雪崩光电二极管结构及其制作方法”的专利，公开号CN120282553A最新股票配资，申请日期为2024年01月。 专利摘要显示，本发明公开了一种用于OTDR的雪崩光电二极管结构及其制作方法，所述雪崩光电二极管结构包括InP倍增层，具体的：所述InP倍增层内设置有贯穿所述InP倍增层的保护环，所述保护环采用Zn扩散，以提高所述保护环的坡度斜率，以提高所述雪崩光电二极管结构的增益；所述In